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FS450R12KE3/AGDR-71C Carte de circuit de commande ABB -40°C à 85°C 0 à 20VAC 50V

FS450R12KE3/AGDR-71C Carte de circuit de commande ABB -40°C à 85°C 0 à 20VAC 50V

Détails de produit:
Lieu d'origine: Allemagne
Nom de marque: ABB
Certification: CE
Numéro de modèle: FS450R12KE3/AGDR-71C
Les informations détaillées
Lieu d'origine:
Allemagne
Nom de marque:
ABB
Certification:
CE
Numéro de modèle:
FS450R12KE3/AGDR-71C
Tension hors état:
0 à 20VAC
Tension assignée d'isolement:
50v
Série:
3500
C.C DE V:
24 V CC
tension réglable de sortie:
24… 28,8 V
Plage de température de stockage:
-40°C à 85°C
Mettre en évidence:

High Light

Mettre en évidence:

Plaque de commande ABB -40°C à 85°C

,

Plaque de commande de 0 à 20 VAC

,

carte de circuit imprimé ABB de 50 V

Informations commerciales
Quantité de commande min:
1
Prix:
Négociable
Détails d'emballage:
Nouveau et original
Délai de livraison:
5-7 jours
Conditions de paiement:
T/T, LC
Capacité d'approvisionnement:
100
Description de produit

Carte de circuit imprimé ABB FS450R12KE3/AGDR-71C -40°C à 85°C 0 à 20VAC 50V

 

Description du FS450R12KE3/AGDR-71C

L'ABB FS450R12KE3/AGDR-71C est un module IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) haute puissance et haute tension de la famille HiPak, leader du secteur, représentant une plateforme technologique de puces de deuxième génération. Il s'agit d'un commutateur de puissance complet et isolé intégrant un IGBT et une diode anti-parallèle dans une configuration en demi-pont au sein d'un seul boîtier robuste. Conçu pour 1200V et 450A, il est conçu pour les applications de conversion haute puissance exigeantes nécessitant un rendement élevé, une robustesse et une fiabilité à long terme. Le module est doté de puces IGBT à faible perte et à grande vitesse et d'un boîtier avancé avec une conception à faible inductance, ce qui en fait un composant essentiel dans les variateurs de moteurs industriels, les onduleurs d'énergie renouvelable et les systèmes de traction.

Caractéristiques du FS450R12KE3/AGDR-71C

  • IGBT à grille en tranchée/arrêt de champ de deuxième génération : ​Intègre la technologie SPT+ (Soft Punch Through) ou Trench avancée d'ABB, offrant un compromis optimal entre une faible tension de saturation (VCE(sat)) et de faibles pertes de commutation, ce qui conduit à un rendement système plus élevé.
  • Boîtier HiPak robuste et fiable : ​Comporte le boîtier HiPak éprouvé avec une plaque de base robuste et isolée (fournissant une isolation électrique jusqu'à plusieurs kV) et des bornes à vis robustes pour les connexions d'alimentation à courant élevé et à faible inductance. Le boîtier est conçu pour une excellente capacité de cyclage thermique.
  • Conception interne à faible inductance : ​La disposition interne et la structure de la barre omnibus optimisées minimisent l'inductance parasite, ce qui est essentiel pour réduire le dépassement de tension lors de la commutation rapide et améliorer la fiabilité globale du système.
  • Capteur de température NTC intégré : ​Comprend une thermistance à coefficient de température négatif (NTC) pour une surveillance précise de la température de la plaque de base du module, permettant une gestion thermique et une protection avancées.
  • Configuration en demi-pont : ​Fournit deux IGBT (chacun avec une diode anti-parallèle co-emballée) dans une topologie en demi-pont, qui est le bloc de construction fondamental des onduleurs de source de tension (VSI).
  • Température de jonction de fonctionnement élevée : ​Conçu pour une température de jonction maximale (Tvjop) de 150°C, permettant des conceptions à haute densité de puissance et un fonctionnement fiable dans des conditions thermiques exigeantes.

Matériaux, construction et applications du FS450R12KE3/AGDR-71C

  • Matériaux : ​Les puces semi-conductrices sont des puces IGBT et diodes à base de silicium. Le substrat est généralement une couche céramique en AlN (nitrure d'aluminium) ou Al2O3(alumine) liée à une plaque de base en cuivre, assurant l'isolation électrique et la conduction thermique. Le boîtier est un plastique PPS (sulfure de polyphénylène) robuste. Les bornes sont en alliage de cuivre.
  • Construction : ​Un module de puissance de pointe avec plusieurs puces IGBT et diodes connectées en parallèle dans le boîtier. Il utilise une technologie de soudure et de fils de liaison avancée pour l'interconnexion. L'ensemble est hermétiquement scellé avec un gel de silicone pour la protection contre l'humidité et les contaminants. La plaque de base isolée permet un montage facile sur un dissipateur thermique commun pour plusieurs modules.
  • Applications principales :
    • Variateurs industriels moyenne tension : ​En tant que principal dispositif de commutation dans les onduleurs pour les moteurs CA moyenne tension (souvent utilisés dans les topologies multiniveaux comme NPC).
    • Énergie renouvelable : ​Onduleurs centraux pour les centrales solaires et les convertisseurs d'éoliennes.
    • Traction : ​Variateurs pour les bus électriques et hybrides, les tramways et les locomotives.
    • Alimentations : ​Alimentations à découpage (SMPS) et systèmes UPS haute puissance et haute fréquence.
    • Chauffage et soudage industriels : ​Sources d'alimentation pour le chauffage par induction et le soudage.

Principales spécifications du FS450R12KE3/AGDR-71C

Paramètre
Spécification
Code de commande du produit​
FS450R12KE3/AGDR-71C
Type de module​
Double / Demi-pont (2 en 1)
Tension nominale (VCES)​
1200 V
Courant nominal (IC@ Tboîtier=80°C)​
450 A
Courant maximum (ICM)​
900 A
Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat))​
~ 1,85 V (Typique, au courant nominal)
Caractéristiques de commutation​
Faibles pertes de commutation (Eon, Eoff) adaptées aux fréquences généralement jusqu'à quelques kHz.
Diode intégrée​
Diode à contrôle d'émetteur anti-parallèle (Emcon) avec des caractéristiques de récupération douce.
Température de jonction maximale (Tvj)​
150 °C (Fonctionnement), 175 °C (Stockage)
Tension d'isolement (Visols)​
3600 Vrms/ 50 Hz / 1 min (Plaque de base aux bornes)
Résistance thermique, jonction-boîtier (Rth(j-c))​
IGBT : ~0,027 K/W (par commutateur)
Diode : ~0,045 K/W (par diode)
Tension grille-émetteur (VGE)​
±20 V (Recommandé : généralement +15V/-15V)
Capteur de température interne​
Thermistance NTC (par exemple, 5 kΩ à 25°C)
Couple de serrage (vis des bornes)​
Généralement 4,5 Nm
Poids​
Environ 320 g
Technologie du module​
IGBT SPT+ / Trench (2e génération)
Boîtier​
HiPak Standard (encombrement 62 mm x 140 mm)
Montage​
Montage à vis sur dissipateur thermique avec pâte thermique.
 
 

Nos produits avantageux :

 


[Honeywell]Module DCS / PLC


[Emerson]Module DeltaV / Servomoteur

[ABB]Module d'entrée/sortie


[AB]Module / Écran tactile


[Rosemount]Transmetteur de pression et de température


[Yokogawa]Transmetteur de pression


[Yaskawa]Servovariateur / Servomoteur


[Mitsubishi]Servovariateur / Servomoteur


[GE]PLC série IC69 / Servomoteur et variateur Fanuc

(Modicon, SMC, SICK, NORGREN, Siemens, etc.)

 

 

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