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Module d'alimentation d'énergie superflu

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Module d'alimentation électrique redondant 115-230 VAC 12 VDC à 150 MA

Name: FF1200R17KE3_B2 INFINEON Module d'alimentation électrique redondant 115-230 VAC 12 VDC à 150 MA
Brand: Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
SKU: Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail.
Price: 10000.00 USD
Availability: InStock

Détails de produit:

Lieu d'origine:	JAPON
Nom de marque:	INFINEON
Certification:	CE
Numéro de modèle:	Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail.

Les informations détaillées

Lieu d'origine:

JAPON

Nom de marque:

INFINEON

Certification:

Numéro de modèle:

Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de l'heure de travail.

Canaux d'entrée:

Puissance nominale de LocalBus:

12 volts continu à 150 mA

Longueur du câble:

0.3 m

Note actuelle:

8 AMPÈRES

Dimensions:

150 mm x 100 mm x 40 mm

Tension de sortie:

12 V CC

Tension de fonctionnement:

220（V）

Tension:

115-230 VCA

Mettre en évidence:

High Light

Mettre en évidence:

Module d'alimentation redondante Infineon 115-230 VAC

Module d'alimentation redondante 12 VDC

Module d'alimentation redondante 150 MA

Informations commerciales

Quantité de commande min:

Prix:

Négociable

Détails d'emballage:

Nouveau et original

Délai de livraison:

5-7 jours

Conditions de paiement:

T/T, LC

Capacité d'approvisionnement:

100

Description de produit

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Module d'alimentation redondant 115-230 VAC 12 VDC à 150 MA

FF1200R17KE3_B2 Description

Le FF1200R17KE3_B2 est un module IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) haute puissance et à haut rendement d'Infineon Technologies, conçu pour les applications de conversion de puissance industrielles exigeantes. Faisant partie de la série IGBT avancée d'Infineon, ce module intègre plusieurs IGBT et des diodes de roue libre dans un seul boîtier compact, permettant des performances robustes dans des environnements à courant élevé et à haute tension. Il offre une commutation fiable, de faibles pertes et d'excellentes caractéristiques thermiques, ce qui le rend idéal pour les entraînements de moteurs lourds, les onduleurs d'énergie renouvelable et les alimentations industrielles.

FF1200R17KE3_B2 Caractéristiques

Densité de puissance élevée : Configuration à double IGBT avec diodes antiparallèles dans un module compact, prenant en charge des intensités et des tensions nominales élevées pour les conceptions à espace limité.
Technologie à faibles pertes : Utilise une technologie avancée de puces IGBT et de diodes pour minimiser les pertes de conduction et de commutation, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.
Haute fiabilité : La conception robuste du substrat en céramique assure une excellente isolation, une capacité de cyclage thermique et une stabilité opérationnelle à long terme.
Montage facile : La plaque de base isolée (variante B2) permet un montage simple sur un dissipateur thermique commun sans isolation supplémentaire, simplifiant la gestion thermique.
Conception à faible inductance : La disposition interne optimisée minimise l'inductance parasite, améliorant les performances de commutation et réduisant le dépassement de tension.
Surveillance de la température : La thermistance CTP (Coefficient de Température Négatif) intégrée fournit une détection de température en temps réel pour la protection thermique et la surveillance du système.

FF1200R17KE3_B2 Matériaux et applications

Matériau : Le module comprend un jeu de puces IGBT et de diodes en silicium haute performance, un substrat en céramique en nitrure d'aluminium (AlN) ou Al₂O₃ pour l'isolation électrique et une plaque de base en cuivre pour une dissipation thermique efficace. Le boîtier est en plastique PPS (sulfure de polyphénylène), offrant une résistance aux températures élevées et une résistance mécanique.
Applications principales :
- Entraînements de moteurs haute puissance et servocommandes pour machines industrielles.
- Systèmes d'onduleurs solaires et éoliens.
- Alimentations sans interruption (ASI) et équipements de soudage.
- Systèmes d'entraînement de traction et ferroviaires.

FF1200R17KE3_B2 Paramètres clés

Paramètre	Spécification
Modèle	FF1200R17KE3_B2
Fabricant	Infineon Technologies
Type de module	Module double IGBT (2 en 1)
Courant de collecteur nominal (Ic @ 25°C)	1200 A
Tension collecteur-émetteur maximale (Vces)	1700 V
Tension de saturation collecteur-émetteur maximale (Vce(sat))	2,5 V (typique)
Dissipation de puissance totale maximale (Pt)	6000 W
Tension d'isolation (Visol)	4000 Vrms / 5600 Vdc
Plage de température de jonction (Tvj)	-40°C à +175°C
Poids du module	Environ 400 g
Type de borne	Bornes à vis
Diode intégrée	Oui (diode antiparallèle à récupération rapide)
Capteur thermique	Thermistance CTP intégrée
Montage	Plaque de base isolée (variante B2)
Matériau du boîtier	Plastique PPS
Couple recommandé (bornes)	2,5 Nm
Conformité aux normes	Conforme RoHS, certifié UL

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FF1200R17KE3_B2 INFINEON Module d'alimentation électrique redondant 115-230 VAC 12 VDC à 150 MA

High Light

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Module d'alimentation redondante Infineon 115-230 VAC

Module d'alimentation redondante 12 VDC

Module d'alimentation redondante 150 MA

module de redondance de diode,

module d'interface analogique,

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