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MODULE des modules FF450R33T3E3 Infineon IGBT de silicium de 450A 3300V IGBT

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MODULE des modules FF450R33T3E3 Infineon IGBT de silicium de 450A 3300V IGBT

Image Grand :  MODULE des modules FF450R33T3E3 Infineon IGBT de silicium de 450A 3300V IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Franc
Nom de marque: IGBT
Numéro de modèle: FF450R33T3E3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiable
Détails d'emballage: Nouveau dans la boîte originale
Délai de livraison: 2 ou 3 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100
Description de produit détaillée
MARQUE: INFINEON Modèle: FF450R33T3E3
Série: IGBT Inscription: ce
Volatge: 3300V Actuel: 450A
Poids spécifique :: 1,543 livres
Surligner:

modules de silicium de 3300V IGBT

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modules de silicium de 450A IGBT

,

MODULE de F450R33T3E3 Infineon IGBT

MODULE 450A 3300V de l'infineon IGBT des modules FF450R33T3E3 de silicium d'IGBT


Parametrics
FF450R33T3E3
Configuration double
Dimensions (longueur) 140,0 millimètres
Dimensions (largeur) 99,8 millimètres
Jambe de phase de caractéristiques
Logement de XHP 3
IC) (de nom/SI (nom) 450,0 A
IC 450,0 maximum A
Qualification industrielle ; Traction
Technologie IGBT3 - E3
VCE (s'est reposé) (C de Tvj=25°) 2,55 V
VCES/VRRM 3300,0 V
VF (C de Tvj=25°) 3,1 V
Classe 3300,0 V maximum de tension

Caractéristiques
Recherche de valeur d'attribut d'attribut de produit semblable
Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : Modules d'IGBT
Restrictions de expédition :
Ce produit peut exiger de la documentation supplémentaire d'exporter des Etats-Unis.
RoHS : Détails
Produit : Modules de silicium d'IGBT
Configuration : Double
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 3300 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,5 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 450 A
Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
Paquet/cas : AG-XHP100-3
Température de fonctionnement minimum : - 40 C
Température de fonctionnement maximum : + 150 C
Emballage : Plateau
Série : Trenchstop IGBT3 - E3
Technologie : SI
Marque : Infineon Technologies
Montage du style : Bâti de vis
Tension maximum d'émetteur de porte : 20 V
Type de produit : Modules d'IGBT
Quantité de paquet d'usine : 1
Sous-catégorie : IGBTs
Nom commercial : TRENCHSTOP XHP
Partie # noms d'emprunt : FF450R33T3E3 SP001779538
Poids spécifique : 1,543 livres
Infineon présente les premiers modules de XHP 3 pour des applications de haute puissance dans 3,3 kilovolts et 450 A. Le XHP 3 présente une excellente solution pour des applications exigeantes telles que la traction, le CAV, la marine et les commandes de milieu-tension. Le module permet des conceptions extensibles avec la densité de fiabilité classe meilleure et de puissance la plus élevée.
Tous les modules de XHP 3 ont les mêmes dimensions, 140 millimètres de longueur, 100 millimètres de largeur et 10 millimètres de hauteur. Ceci donne à des concepteurs de produit l'occasion d'établir les solutions homogènes à travers différentes estimations de courant et de tension afin de mettre en application pour optimiser des concepts de convertisseur de puissance. Les premiers modules dans XHP 3 logeant sont FF450R33T3E3 et FF450R33T3E3_B5.
Caractéristiques
– Nouveaux logement normalisé de XHP 3
– CTI 600
– CRNA du feu et de classification de fumée. EN45545 R22, R23, R24 : HL2
– Plaque de base d'AlSiC
– Substrat d'AlN
– Terminaux soudés ultrasoniques
– Partager actuel interne symétrique
– Basse inductance égarée

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